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首页 > | 外观设计 : 中华人民共和国国家知识产权局收录情况汇总： 32年 3821039篇 |
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2005年
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使用基于副Ⅱ族元素硒化物和/或基于硫镓化物的磷光体材料发射输出光的器件与方法发明人:蔡美莺,伍启元,阿兹利达·艾哈迈德,申请人:安捷伦科技有限公司,, 2005年
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利用光电转换电极的染料敏化太阳电池及其制造方法发明人:崔在万,李知爰,李禾燮,安光淳,朴晶远,申炳哲,申请人:三星SDI株式会社,, 2005年
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微电动机械系统可变电容器的制造方法发明人:阿尼尔·K.·奇恩萨肯迪,亨利·D.·舒努曼,申请人:国际商业机器公司,, 2005年
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微型机电可变电容器发明人:埃尼尔·K.·奇恩萨肯迪,申请人:国际商业机器公司,, 2005年
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化合物半导体装置及其制造方法发明人:浅野哲郎,申请人:三洋电机株式会社,, 2005年
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薄膜晶体管（TFT）和包括该薄膜晶体管的平板显示器以及它们的制造方法发明人:金泰成,申请人:三星SDI株式会社,, 2005年
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薄膜晶体管及其制备方法发明人:黄义勋,李根洙,申请人:三星SDI株式会社,, 2005年
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薄膜晶体管及其制备方法发明人:朴炳建,申请人:三星SDI株式会社,, 2005年
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半导体器件发明人:须贺原和之,中川直纪,丰田吉彦,坂本孝雄,申请人:三菱电机株式会社,, 2005年
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横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管发明人:五十岚敦史,申请人:精工电子有限公司,, 2005年
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在拉伸应变绝缘体上SiGe上的应变SiMOSFET发明人:陈国仕,赵泽安,科恩·里姆,师利仁,申请人:国际商业机器公司,, 2005年
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固态成像装置、相机及制造固态成像装置的方法发明人:神户秀夫,申请人:索尼株式会社,, 2005年
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图像传感器及其制造方法发明人:文昌碌,申请人:三星电子株式会社,, 2005年
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包括光吸收层的图像传感器集成电路器件及其制造方法发明人:李浚泽,梁云弼,申请人:三星电子株式会社,, 2005年
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CMOS图像传感器及其制造方法发明人:沈喜成,申请人:东部亚南半导体株式会社,, 2005年
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固态成像装置及其制造方法发明人:岩脇直树,申请人:松下电器产业株式会社,, 2005年
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混成电荷耦合的CMOS图像传感器发明人:真锅素平,野崎英骏,申请人:豪威科技有限公司,, 2005年
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半导体芯片及其制造方法以及半导体器件发明人:川野连也,田代勉,栗田洋一郎,申请人:恩益禧电子股份有限公司,, 2005年
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SOI衬底及其制造方法发明人:川野连也,田代勉,栗田洋一郎,申请人:恩益禧电子股份有限公司,, 2005年
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全缺乏SOI多临界电压应用发明人:陈豪育,张长昀,李迪弘,杨富量,申请人:台湾积体电路制造股份有限公司,, 2005年
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