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期刊:半导体学报CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTIORS

收录情况汇总: 9年 108期 28篇
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收录年份数量期次
2008 318 01 02 03 04 05 06 07 08
2007 536 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 z1
2006 525 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 z1
2005 534 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 z1
2004 330 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12
2003 309 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 z1
2002 256 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12
2001 319 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12
2000 228 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12

全部目录


1. 投稿须知Information for authors 2008年 第8期
2. 集成于电流模降压型DC-DC变换器的电流采样电路An Integrated Current-Sensing Circuit for Current-Mode DC-DC Buck Converters 作者:袁冰,来新泉,叶强,李演明,贾新章, 2008年 第8期
3. 一种用于TFT-LCD液晶显示的片内门宽调制控制器的设计Design of an On-Chip Gate Pulse Modulate Controller for a TFT-LCD 作者:叶强,来新泉,陈富吉,李演明,袁冰, 2008年 第8期
4. 一种具有750mA输出电流,双模式PWM/PFM控制的高效率直流一直流降压转换器A 750mA,Dual-Mode PWM/PFM Step-Down DC-DC Converter with High Efficiency 作者:陈东坡,何乐年,严晓浪, 2008年 第8期
5. 具有稳定工作状态的无线接收用超再生振荡器A Stable Super-Regenerative Oscillator for Wireless Receivers 作者:王欢,王志功,徐建,孟桥,杨思勇,李伟, 2008年 第8期
6. 一种新型的全片内低噪声CMOS低压差线性稳压器A Novel Fully On-Chip CMOS Low-Dropout Linear Regulator with Ultra Low Noise 作者:毛毳,何乐年,严晓浪, 2008年 第8期
7. 一种900MHz RFID读卡器中的高性能CMOS频率综合器CMOS Implementation of an RF PLL Synthesizer for Use in RFID Systems 作者:谢维夫,李永明,张春,王志华, 2008年 第8期
8. 基于侧壁压阻式的位移传感器研制及应用Development of a Displacement Sensor with a Sidewall Piezoresistor and Its Typical Application 作者:孙立宁,王家畴,荣伟彬,李欣昕, 2008年 第8期
9. 基于PID技术的深能级光离化截面测试方法A New Photoionization Cross Section Measurement Technique Based on PID Control 作者:王莹,李新化, 2008年 第8期
10. 微热板阵列的热干扰Thermal Crosstalk of Micro Hotplate Arrays 作者:余隽,唐祯安,黄正兴,陈正豪, 2008年 第8期
11. 有机小分子掺杂的聚合物发光二极管电致发光及其发射机制An Electroluminescence and Emission Mechanism for Small Molecular Doped Polymer Light-Emitting Diodes 作者:聂海,唐先忠,陈祝,吴丽娟, 2008年 第8期
12. 求解半导体器件流体力学模型的新方法A New Hydrodynamic Model Method for Semiconductor Device Simulation 作者:刘战,顾晓峰,于宗光,胡西多,臧佳锋, 2008年 第8期
13. 双栅双应变沟道全耗尽SOI CMOS的瞬态特性分析Transient Characteristic Analysis of a Double-Gate Dual-Strained-Channel SOI CMOS 作者:孙立伟,高勇,杨媛,刘静, 2008年 第8期
14. 高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化A Macromodel and Parameter Optimization for the I-V Characteristics of High-Voltage MOSFETs 作者:许佳宜,石艳玲,任铮,胡少坚,万星拱,丁艳芳,赖宗声, 2008年 第8期
15. MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析Development and Characteristic Analysis of MOS AIGaN/GaN HEMTs 作者:王冲,岳远征,马晓华,郝跃,冯倩,张进城, 2008年 第8期
16. 单晶硅片磨削损伤的透射电子显微分析TEM Observation on the Ground Damage of Monocrystalline Silicon Wafers 作者:张银霞,郜伟,康仁科,郭东明, 2008年 第8期
17. 非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响Effect of n Doped Layers in an Amorphous Silicon Top Solar Cell on the Performance of "Micromorph" Tandem Solar Cells 作者:韩晓艳,李贵君,侯国付,张晓丹,张德坤,陈新亮,魏长春,孙健,薛俊明,张建军,赵颖,耿新华, 2008年 第8期
18. 退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响An Experimental Study of Aluminum-Induced Crystallization of Amorphous Silicon Thin Film in Different Atmospheres 作者:王成龙,范多旺,孙硕,张福甲, 2008年 第8期
19. 铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质Bulk Single Crystal Growth and Properties of In-Doped ZnO 作者:张璠,赵有文,董志远,张瑞,杨俊, 2008年 第8期
20. 纤锌矿氮化物半导体束缚极化子及压力效应Bound Polaron in Wurtzite Nitrides Semiconductor and Pressure Effect 作者:薛亚光,闫祖威,皇甫艳芳, 2008年 第8期
期刊图片


RMB:45


基本信息

主管单位:中国科学院

主办单位:中国电子学会和中国科学院半导体研究所

主编:王守武

ISSN: 1674-4926

CN:11-5781/TN

地址:北京912信箱

邮政编码:100083

电话:010-82304277

Email:jos@semi.ac.cn

网址:www.jos.ac.cn

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